plasma speaker

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sentry93
icon9  view post Posted on 16/11/2010, 20:59     +1   -1




salve a tutti , da qualche mese sto lavorando su un plasma speaker e potete vedere il circuito preso su internet ([URL=http://img607.imageshack.us/), l'unica cosa e che non mi funziona!!! Ho visto anche un altra discussione nella quale viene detto che il circuito non è giusto. potreste spiegarmi meglio cosa dovrei cambiare? grazie
 
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view post Posted on 18/11/2010, 17:48     +1   -1
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Cavaliere teslaro

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Dovresti riuscire a postare l'immagine per intera, l'URL non è completo e quindi non saprei cosa dire. :)
 
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sentry93
view post Posted on 21/11/2010, 19:15     +1   -1




eccola non so se si vede ma non so come caricarla!!!

e adesso sto lavorando sul circuito definitivo postato da OzzFan in un altra discussione ma funziona?

in piu nella discussione https://teslamaniacs.forumcommunity.net/?t=37200641 OzzFan parla di una r5 e r10 come due resistenze di valore diverso mentre nel circuito da me postato sono dello stesso valore.

Attached Image: tl494-fullbridge.gif

tl494-fullbridge.gif

 
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view post Posted on 22/11/2010, 09:40     +1   -1
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Cavaliere teslaro

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Ah, "quel" circuito. Il circuito "garbuglio". :)
Si, è già stato visto su qualche altra discussione, somiglierebbe ad un un ful "H" bridge, ovvero un ponte ad H intero. Disegnato molto male. Ma non è tanto la faccenda del disegno quanto il fatto che le resistenze si pilotaggio dei gate sono bassissime. I MOS-FET sono dei dispositivi con alta impedenza di ingresso e sono caratteristici per non richiedere correnti elevate di pilotaggio, ma in quel modo tanto vale usare BJT...
Insomma i circuiti driver con R5 ed R11 che pilotano il gate dei due MOS sono troppo basse, 10 Ohm sono un'ignominia sui gate di un MOS... E anche 15+47Ohm sul drain sono veramente pochi. Oltre al fatto che occorre un certo tempo tra la conduzione di un ramo e l'interdizione dell'altro. Il famoso "giallo" del semaforo, altrimenti FET superiore ed inferiore si trovano in conduzione contemporaneamente e anche se per poco tempo fanno rischiare la vita ai MOS. Oltre al fatto di compromettere l'efficienza. La tensione applicabile sul gate dei MOS alti del ramo è di soli 12V, quindi, quando la tensione a metà ponte è metà della tensione di alimentazione, ovvero 15V la polarizzazione è di 3V negativa del gate rispetto al source, quindi come fa quel MOS ad andare in conduzione?
Questo mi fa pensare che qualcuno abbia copiato da qualche parte facendo qualche errore di copiatura sia come lay out del circuito sia come valore dei componenti.
Insomma, quel circuito non mi ispira fiducia.
Ti consiglio di cambiare circuito magari vai su qualcosa di già suggerito nelle application notes di qualche costruittore di circuiti integrati per pilotaggio dei ponti ad H a mosfet per impieghi di potenza. ;)
 
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sentry93
view post Posted on 22/11/2010, 12:18     +1   -1




invece il circuito definitivo postato da OzzFan potrebbe andare bene?https://teslamaniacs.forumcommunity.net/?t=37200641
 
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SpatolatoreFolle
view post Posted on 11/3/2011, 00:54     +1   -1




gli errori che ho notato sono un paio(correggetemi se dico baggianate :))
-le resisenze in serie ai gate dei mos(R5,R7,R10,R11) sono sicuramente da 1/4 di watt(max1/2), mentre R6 e R9 devono essere da 5Watt; nel blog che descriveva questo circ. erano indicate al contrario.
-l'uscita dell'integrato tl494 necessita di una connessione di tipo pull-down verso massa, poichè nella generazione dell'onda, quando lo stadio di uscita del tl494 è interdetto, il nodo resta flottante(i gete dei mos possono essere "ballerini"). La R da mettere è di almeno 68ohm da 2Watt.
-Guardando il datasheet dell'integrato tl494 mi sembra che cortocircuitare le uscite 9 e 10 non porti a nessun risultato utile. L'informazione del segnale audio in ingresso è contenuta nelle due uscite ma queste sono negate e sfasate tra loro, quindi realizzando una wired OR si perde l'informazione.
Poi volevo chiedere a Lawrence, non mi è chiaro il discorso che fai sulle resistenze basse sui gate dei mos, lì la corrente nel gate è limitata dal dispositivo (tipicamente decine di nano ampere), quindi non c'è necessità di mettere R grosse. Anzi in questa applicazione, secondo me, i mos devono commutare il più rapidamente possibile e siccome la R sul gate (nel circ alle variazioni) va in serie alla Cgs quindi ne limita la carica, che determina la commutazione del dispositivo.
Poi non ho capito a che mos ti riferisci quando parli dell'impossibilità di uno di andare in conduzione.
Perdonatemi se ho detto scemate :woot:
ciao.
 
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maxwell2
view post Posted on 11/3/2011, 11:04     +1   -1




Sentry e spalatore prima di postare nelle discussioni è opportuno mettere due righe di presentazione nella sezione apposita.
Buona continuazione. :)
 
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6 replies since 16/11/2010, 20:59   293 views
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