Il driver a NE555 di Steve Ward

Ciao a tutti ho deciso di realizzare un driver a NE555, visto che mi è venuta la curiosità di provarlo, e sul sito di Steve Ward ho trovato questo schema, che sembra molto affidabile:


Avrei un paio di cose da chiedere sullo schema, tanto per essere sicuro. Innanzitutto vorrei sapere se i due avvoglimenti che pilotano i gate dei MOSFET sono avvolti nella stessa direzione (cioe in sostanza se i gate dei mosfet vadano collegati a due capi speculari dei due avvolgimenti), e se è più opportuno avvolgerli su un toroide o un nucleo di ferrite cilindrico che possiedo.
In secondo luogo vorrei sapere se posso usare MOSFET da 60 volt per un'alimentazione da 30 volt per il drain.
Infine se quei condensatori indicati con .1u hanno una capacità di 0,1 μF (lo chiedo perché in realtà sulle sigle dei condensatori per indicare 0,1 μF si scrive solo u1).Grazie mille in anticipo

Quel driver tira il doppio di un royer se ben fatto! C'è chi ha costruito un plasma speaker da più di 1kW con uno schema simile a quello sopra, leggermente modificato. Certo, rende meglio a 325V più che a 30V, ma se preferisci quest'ultima tensione, puoi usare quello schema senza cambiare nulla, ma fai solo 4 spire sul primario.
Gli avvolgimenti puoi farli come vuoi, in quanto il flusso concatenato attraverserà sempre l'induttore secondario.

Per i Mos fet invece è meglio se eccedi con la tensione massima drain-source supportata. Perché altrimenti un probabile e inevitabile picco di tensione più elevato te lo manda all'inferno.


Esattamente.

Wowww, questo circuito comincia a sembrarmi davvero interessante!
Quindi il fatto che nello schema i capi di uno degli avvolgimenti per i gate siano incrociati non è rilevante.
Poi un'altro paio di cose che mi vengono in mente ora:
L'integrato 4422 io lo ho acquistato in versione 4+4 piedini, per cui devo forse collegare solo i piedini 1,2,4,5,7,8 oppure 1,2,3,4,5,6,7,8 o tutti quanti? Lo schema è un po' ambiguo (anche perché Steve usa il TO-3 package) e io purtroppo non ho molta pratica nei circuiti che montano integrati,
E poi, (questa è curiosità personale) che configurazione è quella dell'NE555? Non assomiglia molto a quelle tradizionali
Ultima cosa: posso sapere come adattare il driver farlo funzionare come plasma speaker, che costruirne uno è sempre stato il mio sogno?
Grazie mille per la pazienza

Edited by PlasmaWoofer - 14/4/2015, 20:49

Scusami ma ultimamente sono veramente sovraccarico di lavoro, e in quel poco tempo che accedo a teslamaniacs non riesco a rispondere a tutti.
La configurazione del 555 è leggermente diversa dal normale. Tuttavia, è sempre utilizzato come multivibratore astabile RC. Se invece vai oltre il megahertz ti conviene usare oscillatori al quarzo.

Altra cosa: ci sono tre versioni del 4422, una a forma di mosfet, non ricordo se il package e to220 o 218, un'altra come il 555 e un altra SMD.
La prima ha solo 5 pin. La seconda e la terza versione hanno 8 pin. Tu devi usare solo quelli richiesti. E non è come come gli integrati contenenti porte NOT che se non utilizzate l'ingresso va messo a massa... qui ce n'è solo una di porta che utilizzi. Quindi, fregatene degli altri pin. Se hai qualche dubbio guarda il datasheet del 4422.

Per far funzionare il driver come modulatore, quindi per ottenere un plasma speaker, devi collegare un cavo audio con il negativo a massa, e il positivo con un condensatore da 220 o 100 nF in serie al pin 5 del NE555. Levi ovviamente il potenziometro e il condensatore in parallelo inclusi nello schema. Ma dovresti anche modificare qualcos'altro, per esempio, mettere i due potenziometri dal positivo al pin 7 e un altro dal pin 7 al pin 6. Come qui:

Figurati, non fa niente, tanto negli ultimi tempi anche io ho da fare e procedo a rilento, in più non mi è ancora arrivato il 4422. Cmq mi è tutto chiaro, per il momento grazie di tutto e se faccio progressi metto aggiornamenti

Dunque, ho terminato e collaudato il circuito: sono felice di dire che ha funzionato al primo colpo!
Unica pecca, devo ammettere che è un po' debole (1 cm di scarica o poco più) e, nonostante un assorbimento di solo 1,5 ampere ca. sull'half bridge, i mosfet scaldano parecchio. Magari metto una foto così mi dite se posso apportare qualche miglioria, perché sono certo che può essere più efficiente

Ecco la foto

Attached Image: rsz_20150614_202024

Per il gdt non va bene quel nucleo,ne devi trovare (o comprare)uno ad anello adeguato,un brutto gdt può anche far esplodere i MOSFET s.

Infatti si capiva che si sforzavano, ma non riuscivo a spiegarmi perché. Vorrà dire che ne metterò uno toroidale, grazie!
P.S. va bene uno tipo quello impiegato nel Royer, ovviamente di dimensioni adeguate?

Ecco, ho reperito questo nucleo toroidale che non è come quello che ho sul Royer, però ve lo mostro nel caso andasse bene. Dentro è fatto di numerose lamine che sembrano essere metalliche piegate circolarmente e sovrapposte, come si vede dalla foto. Devo dire che non ho mai visto nulla di simile.

Attached Image: rsz_20150708_154748